글로벌 반도체 선도 기업 SK하이닉스가 세계 최초로 12단 적층 구조의 고대역폭 메모리(HBM3E) 상용 양산에 돌입했다고 26일 공식 발표했습니다. 업계 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 이번 신제품은 폭발적으로 성장하는 생성형 인공지능(AI) 메모리 시장에서 회사의 독보적인 리더십을 다시 한번 증명했습니다. 고객사 공급은 연내 본격 시작될 예정입니다.

이번 12단 HBM3E는 기존 주력 제품이었던 8단 24GB 대비 용량을 50% 끌어올리면서도 전체 패키지 두께를 종전과 동일하게 유지하는 데 성공했습니다. SK하이닉스는 고난도 공정을 해결하기 위해 개별 D램 칩의 두께를 기존보다 40% 얇게 갈아내고 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 통해 12개의 칩을 수직으로 완벽하게 접합했습니다.

36GB 초대용량으로 생성형 인공지능 모델 학습 속도 획기적 개선

초당 최대 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하며, 12단 HBM3E 복수 개를 결합한 시스템은 초당 1.22테라바이트(TB) 이상의 데이터를 전송할 수 있습니다. 이는 풀HD급 영화 160편을 단 1초 만에 전송하는 속도로, 수천억 개의 매개변수를 처리해야 하는 차세대 거대언어모델(LLM) 구동에 최적화된 대역폭입니다.

양산된 초도 물량은 미국 엔비디아의 차세대 AI 슈퍼컴퓨팅 플랫폼인 블랙웰 울트라(B200 및 GB200)에 전량 탑재됩니다. 글로벌 AI 가속기 시장의 85% 이상을 장악하고 있는 엔비디아의 핵심 파트너 입지를 확고히 함으로써 SK하이닉스는 사상 최대 수준의 영업이익 랠리를 지속할 발판을 마련했습니다.

“SK Hynix has once again broken technological barriers by becoming the first in the industry to mass-produce 12-layer HBM3E, cementing our uncontested leadership in AI memory.”

독자 MR-MUF 패키징 기술로 발열 제어…삼성·마이크론 추격 따돌려

미세한 공간에 12개의 얇은 칩을 겹쳐 쌓을 때 발생하는 치명적인 열 집중 문제를 해결하기 위해 SK하이닉스는 독자 기술인 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 적용했습니다. 특수 액상 보호재를 주입해 굳히는 이 방식은 경쟁사들의 열압착 방식 대비 방열 효율을 10% 개선시켜 데이터센터의 가동 신뢰성을 획기적으로 높였습니다.

이번 양산 착수로 12단 HBM3E 샘플 검증 단계를 밟고 있는 삼성전자와 미국 마이크론 테크놀로지 등 경쟁사들과의 기술 격차는 더욱 벌어지게 되었습니다. 수율 안정화와 고객사 퀄리피케이션을 가장 먼저 통과한 SK하이닉스는 2025년까지 하이엔드 AI 메모리 공급 시장을 사실상 독식할 것으로 관측됩니다.

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