삼성전자는 2026년 9월 22일 서울에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 차세대 인공지능(AI) 반도체 시장을 겨냥한 종합 제조 로드맵을 전격 발표했습니다. 전 세계 수백 명의 팹리스 고객사와 클라우드 빅테크 관계자들이 참석한 가운데, 삼성전자는 최첨단 2나노미터(nm) 게이트올어라운드(GAA) 파운드리 공정과 차세대 3D 패키징 솔루션을 결합한 턴키(일괄 수주) 모델을 선보였습니다.

삼성전자가 내세운 차별화 승부수는 '원스톱 AI 솔루션'입니다. 파운드리 웨이퍼 가공과 후공정 패키징(OSAT)이 분리된 경쟁사들과 달리, 삼성전자는 선단 2나노 공정, 6세대 고대역폭메모리(HBM4), 2.5D 및 3D 이종 집적 패키징 기술을 세계에서 유일하게 자체 일괄 수행할 수 있습니다.

고성능 AI 가속기를 위한 '원스톱 턴키' 반도체 제조 아키텍처

포럼 발표에서 경영진은 파운드리와 메모리, 첨단 패키징을 원스톱으로 조율할 경우 생성형 AI 맞춤형 칩(ASIC)의 개발부터 양산까지 걸리는 리드타임을 약 20% 단축할 수 있다고 실증했습니다. 복잡한 글로벌 외주 물류 과정에서 발생하는 지연을 없애고 칩 전체의 수율을 크게 끌어올리는 효과가 있습니다.

웨이퍼 제조 부문에서는 2나노 공정(SF2)의 2026년 대량 양산 일정이 순조롭게 진행 중임을 재확인했습니다. 3나노 GAA 대비 성능은 12%, 전력 효율은 25% 향상되었으며, 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용해 칩 면적을 5% 줄이는 데 성공했습니다.

“초미세 2나노 GAA 파운드리와 세계 1위 HBM 기술, 혁신적인 3D 패키징을 단일 턴키 플랫폼으로 융합해 글로벌 AI 혁신 기업들에 차원이 다른 시장 진입 속도를 제공할 것입니다.”

이종 집적의 한계를 뛰어넘는 SAINT 및 I-Cube 첨단 패키징

대용량 AI 프로세서와 메모리를 초고속으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술인 'SAINT' 플랫폼도 대거 공개되었습니다. 범프 없이 HBM을 로직 다이 위에 수직으로 직결하는 'SAINT-D' 기술과, 단일 인터포저 위에 최대 12개의 HBM4 메모리와 대형 AI 가속기 다이를 통합하는 'I-CubeE'가 호평을 받았습니다.

이번 로드맵 발표는 대만 TSMC가 과점하고 있는 글로벌 AI 가속기 수주전에 던진 강력한 도전장으로 풀이됩니다. 삼성전자는 평택 캠퍼스의 풍부한 클린룸 인프라와 미국 테일러 신규 팹의 생산 역량을 결집하여 글로벌 인공지능 인프라 구축의 핵심 파트너로 도약하겠다는 포부입니다.

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삼성전자 파운드리 반도체 2나노 첨단 패키징 GAA 인공지능