El gigante surcoreano de los semiconductores SK Hynix anunció oficialmente el 23 de septiembre de 2026 el inicio de la producción comercial en masa del primer módulo de memoria High Bandwidth Memory 3E (HBM3E) de 12 capas del mundo, con una capacidad sin precedentes de 36 gigabytes (GB). El hito afianza la posición dominante del fabricante de Icheon como proveedor prioritario de Nvidia para sus unidades de procesamiento gráfico (GPU) de centros de datos.
El nuevo apilamiento de 12 alturas supone un salto del 50% en densidad de memoria frente a los módulos previos de 8 capas y 24 GB. A pesar de incorporar cuatro capas adicionales de DRAM, los ingenieros de SK Hynix lograron mantener el grosor total del paquete en 720 micrómetros, el estándar establecido por la asociación JEDEC. Para lograrlo, redujeron el grosor individual de cada matriz DRAM en un 40% antes de conectarlas mediante vías a través de silicio (TSV).
Empaquetado MR-MUF: 50% más de capacidad en el mismo factor de forma
La gestión del calor en un empaquetado tan denso se resolvió gracias a la tecnología patentada Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Al inyectar un compuesto epoxi optimizado entre las microprotuberancias bajo reflujo térmico controlado, este proceso incrementa la disipación térmica en un 10% en comparación con la termocompresión tradicional y previene la deformación de las obleas ultrafinas.
En cuanto a velocidad operativa, la memoria HBM3E de 12 capas ofrece tasas de transferencia de hasta 9,6 gigabits por segundo (Gbps) por pin. En una configuración de subsistema de ocho pilas para GPU, el conjunto proporciona un colosal ancho de banda acumulado que rebasa los 1,22 terabytes por segundo (TB/s), equivalente a procesar 240 películas de alta definición en apenas un segundo.
“Al iniciar con éxito la producción en masa de la primera memoria HBM3E de 12 capas y 36 GB, SK Hynix ratifica su liderazgo tecnológico en memoria para IA. Seguiremos abasteciendo al mercado para responder al crecimiento explosivo de los centros de datos globales.”
Liderazgo incontestable en el superciclo de memorias para IA
SK Hynix confirmó que las primeras entregas comerciales se realizarán durante el cuarto trimestre de 2026 a clientes estratégicos encabezados por Nvidia. Los módulos de 36 GB potenciarán las futuras arquitecturas Blackwell Ultra B200 y Rubin, permitiendo ampliar la memoria integrada de los aceleradores de 192 GB a 288 GB por procesador.
Este avance ensancha la ventaja competitiva de SK Hynix frente a Samsung Electronics y la estadounidense Micron Technology. Con estimaciones que apuntan a que las memorias HBM generarán más del 30% de la facturación global de DRAM para 2027, la firma surcoreana se posiciona para acaparar la mayor rentabilidad del auge mundial de la inteligencia artificial.
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