Samsung Electronics desveló el 22 de septiembre de 2026 su hoja de ruta de semiconductores de última generación durante el Samsung Foundry Forum celebrado en Seúl. Ante centenares de diseñadores fabless, corporaciones de computación en la nube y socios tecnológicos, el conglomerado surcoreano presentó un servicio llave en mano que aúna la litografía de 2 nanómetros (nm) Gate-All-Around (GAA) con sus tecnologías de empaquetado avanzado.
El núcleo de la propuesta radica en su 'Solución Integral de IA'. A diferencia de competidores que disocian la fundición del montaje y prueba externa (OSAT), Samsung controla la tríada completa del hardware avanzado: manufactura de vanguardia en 2nm, memorias de alto ancho de banda (HBM3E y HBM4) y empaquetado heterogéneo en 2.5D y 3D.
Arquitectura integral llave en mano para aceleradores de computación IA
Los directivos de la multinacional demostraron que coordinar fundición, memoria y ensamblado bajo una misma gestión reduce los plazos de comercialización de los chips de IA generativa (ASIC) en aproximadamente un 20%, eliminando retrasos logísticos y mejorando el rendimiento de producción.
En el apartado de fabricación de silicio, Samsung confirmó que su nodo de 2nm (SF2) mantiene su calendario para iniciar la producción comercial en masa. Frente a los nodos de 3nm GAA, SF2 ofrece una mejora del rendimiento del 12%, un 25% más de eficiencia energética y una reducción del 5% en la superficie del chip, integrando tecnología de suministro de energía por la cara trasera (BSPDN).
“Al reunir en un único modelo integral nuestra fundición de 2nm GAA, memorias HBM y empaquetado 3D, Samsung ofrece a la industria de la IA una velocidad de comercialización inigualable.”
Las tecnologías SAINT e I-Cube redefinen la integración heterogénea
Para enlazar procesadores de IA con módulos de memoria, Samsung puso en valor su plataforma SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology). Destaca la arquitectura SAINT-D, que apila verticalmente bloques HBM directamente sobre la lógica sin microprotuberancias, así como el interposer 2.5D I-CubeE con capacidad para alojar hasta 12 pilas HBM4.
Este despliegue constituye una decidida ofensiva para ganar cuota frente a TSMC en el rentable mercado de procesadores para centros de datos de IA. Apoyada en la expansión de sus fábricas en Pyeongtaek y en Taylor (Texas), Samsung se posiciona como pilar de la infraestructura mundial de inteligencia artificial.
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