El gigante surcoreano de los semiconductores SK Hynix anunció formalmente este jueves el comienzo de la primera producción en serie del mundo de chips de memoria de gran ancho de banda de 12 capas (HBM3E), con una capacidad récord de 36 gigabytes (GB). Este avance afianza el indiscutible liderazgo de la firma en soluciones de memoria para inteligencia artificial y abre el camino para los suministros comerciales antes de fin de año.
El nuevo módulo de 12 capas supone un incremento del 50 por ciento en capacidad de almacenamiento respecto a los chips HBM3E de 8 capas y 24 GB predominantes hasta ahora, manteniendo exactamente la misma altura de encapsulado. Para lograr este hito de ingeniería, SK Hynix redujo el grosor de cada matriz DRAM individual en un 40 por ciento e interconectó las capas verticalmente mediante vías a través de silicio (TSV).
Capacidad récord de 36 GB para potenciar el entrenamiento de modelos de IA
Con velocidades de procesamiento que alcanzan los 9,6 gigabits por segundo, un conjunto de estos módulos es capaz de transferir más de 1,22 terabytes de datos por segundo, el equivalente a descargar 160 películas en alta definición en un parpadeo. Dicho ancho de banda es indispensable para el cómputo y entrenamiento de modelos fundacionales de inteligencia artificial generativa.
La empresa surcoreana confirmó que los primeros lotes comerciales se entregarán directamente a Nvidia para equipar sus arquitecturas de supercomputación Blackwell Ultra B200 y GB200. Dado que Nvidia domina cerca del 85 por ciento del mercado de aceleradores de IA en centros de datos, este estatus de proveedor primordial garantiza a SK Hynix unos beneficios operativos récord.
“SK Hynix has once again broken technological barriers by becoming the first in the industry to mass-produce 12-layer HBM3E, cementing our uncontested leadership in AI memory.”
Innovador encapsulado térmico consolida su ventaja frente a la competencia
Para resolver el desafío térmico que representa apilar doce matrices microscópicas de silicio sin recalentamiento, SK Hynix perfeccionó su proceso patentado de relleno Advanced MR-MUF. Esta resina protectora especial disipa el calor un 10 por ciento más eficientemente que los métodos convencionales de unión termocompresiva, asegurando una fiabilidad prolongada en los centros de datos.
Este anuncio mete una presión formidable sobre sus rivales históricos Samsung Electronics y Micron Technology, que aún están completando las fases de prueba con muestras de 12 capas. Con la producción ya en marcha y la homologación de sus clientes asegurada, SK Hynix acaparará la inmensa mayoría de la cuota de memoria de gama alta durante 2025.
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