Der südkoreanische Halbleiterkonzern SK Hynix hat am Donnerstag den Beginn der weltweiten Massenfertigung von 12-lagigen High-Bandwidth-Memory-Chips (HBM3E) mit einer Branchenrekordkapazität von 36 Gigabyte (GB) bekannt gegeben. Damit zementiert das Unternehmen seine marktbeherrschende Stellung im lukrativen Markt für Speicherlösungen für generative künstliche Intelligenz und bereitet planmäßige Auslieferungen an Schlüsselkunden vor.
Das hochentwickelte 12-Layer-Paket steigert die Speicherkapazität gegenüber den bisherigen 8-Layer-Modulen mit 24 GB um 50 Prozent, behält dabei aber die exakt gleiche Bauhöhe bei. Um diesen technologischen Fortschritt zu realisieren, verringerte SK Hynix die Dicke der einzelnen DRAM-Siliziumscheiben um 40 Prozent und verband die Schichten vertikal mithilfe von Through-Silicon-Via-Mikrokontakten.
Rekordkapazität von 36 GB beschleunigt das Training komplexer KI-Modelle
Mit Datenübertragungsraten von bis zu 9,6 Gigabit pro Sekunde kann ein Gesamtsystem mit 12-lagigen HBM3E-Stapeln mehr als 1,22 Terabyte an Daten in einer einzigen Sekunde bewegen – was dem Transfer von rund 160 hochauflösenden Spielfilmen entspricht. Diese enorme Bandbreite ist für das Training großer Sprachmodelle unabdingbar.
Die ersten Fertigungschargen gehen direkt an den US-Chiphersteller Nvidia, wo sie in den hochentwickelten Beschleuniger-Architekturen Blackwell Ultra B200 und GB200 verbaut werden. Da Nvidia über 85 Prozent des weltweiten Marktes für KI-Serverchips kontrolliert, verhilft der Status als Hauptlieferant SK Hynix zu historischen Umsatz- und Gewinnsprüngen.
“SK Hynix has once again broken technological barriers by becoming the first in the industry to mass-produce 12-layer HBM3E, cementing our uncontested leadership in AI memory.”
Proprietäres Gehäuseverfahren baut Vorsprung auf Konkurrenten aus
Um das akute Hitzeproblem bei der Übereinanderschichtung von zwölf extrem dünnen Siliziumkristallen zu beherrschen, nutzt SK Hynix sein geschütztes Verpackungsverfahren Advanced MR-MUF. Das dabei verwendete Epoxidharz leitet Wärme um 10 Prozent besser ab als traditionelle Druckfügeverfahren und stellt somit einen unterbrechungsfreien Betrieb in Rechenzentren sicher.
Mit diesem Produktionsstart vergrößert SK Hynix den Druck auf seine Verfolger Samsung Electronics und Micron Technology, die sich bei 12-Lagen-Speichern weiterhin in der Bemusterungs- und Testphase befinden. Durch die bereits erreichte Fertigungsreife und vertraglich gesicherte Abnahmemengen wird SK Hynix auch im Jahr 2025 den Premium-KI-Markt dominieren.
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