Raksasa semikonduktor asal Korea Selatan, SK Hynix, secara resmi mengumumkan pada 23 September 2026 dimulainya produksi massal komersial untuk memori High Bandwidth Memory 3E (HBM3E) 12-lapis pertama di dunia dengan kapasitas terobosan 36 gigabyte (GB). Pencapaian ini kian mengukuhkan posisi perusahaan yang berbasis di Icheon tersebut sebagai pemasok utama chip memori premium bagi raksasa komputasi global, terutama Nvidia.
Susunan 12-lapis baru ini menghadirkan lonjakan kapasitas sebesar 50% dibandingkan varian generasi sebelumnya yang mengusung 8-lapis berkapasitas 24GB. Kendati menumpuk 12 keping DRAM, para insinyur SK Hynix sukses mempertahankan ketebalan total kemasan pada 720 mikrometer, persis sesuai standar global yang ditetapkan JEDEC. Capaian ini diraih dengan menipiskan ketebalan masing-masing keping DRAM sebesar 40% sebelum disambungkan melalui interkoneksi vertikal Through-Silicon Via (TSV).
Teknologi Kemasan MR-MUF Hasilkan Kapasitas 50% Lebih Besar Tanpa Mengubah Dimensi
Manajemen pelepasan panas ekstrem pada tumpukan silikon yang rapat diatasi lewat teknologi paten Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Dengan menyuntikkan bahan pelindung resin epoksi cair secara merata di antara tonjolan kontak mikro, teknik ini mendongkrak pembuangan panas sebesar 10% dibanding metode kompresi termal lama sekaligus mencegah pembengkokan wafer silikon ultra-tipis.
Dari segi performa komputasi, memori HBM3E 12-lapis ini menghasilkan kecepatan transmisi hingga 9,6 gigabit per detik (Gbps) per pin. Dalam konfigurasi delapan tumpukan chip pada satu unit prosesor akselerator AI, sistem memori ini menyemburkan bandwidth kumulatif hingga menembus 1,22 terabyte per detik (TB/s)—setara dengan memproses 240 film beresolusi tinggi hanya dalam waktu satu detik.
“Melalui keberhasilan produksi massal HBM3E 12-lapis 36GB pertama di dunia ini, SK Hynix sekali lagi membuktikan kepemimpinan teknologi mutlak dalam memori AI. Kami berkomitmen menjaga pasokan solusi premium guna menopang lonjakan kebutuhan infrastruktur AI global.”
Mengukuhkan Dominasi Pasar di Tengah Ledakan Permintaan Memori AI
SK Hynix mengonfirmasi bahwa pengiriman perdana kepada pelanggan strategis, yang dipimpin oleh Nvidia, akan dimulai pada kuartal keempat tahun 2026. Memori 36GB ini dipersiapkan untuk mentenagai akselerator arsitektur Blackwell Ultra B200 dan platform generasi penerusnya, Rubin, yang meningkatkan kapasitas memori terpasang per soket prosesor dari 192GB menjadi 288GB.
Keberhasilan komersialisasi ini memperlebar jarak keunggulan SK Hynix atas para pesaingnya seperti Samsung Electronics dan Micron Technology asal AS. Dengan proyeksi bahwa pendapatan HBM akan berkontribusi lebih dari 30% terhadap total pasar DRAM global pada 2027, SK Hynix berada di posisi terdepan untuk meraup laba terbesar dari gelombang investasi komputasi kecerdasan buatan.
Comments (0)
Log in to join the discussion.