Samsung Electronics menyingkap peta jalan semikonduktor generasi berikutnya pada 22 September 2026 dalam perhelatan Samsung Foundry Forum di Seoul. Di hadapan ratusan perancang cip tanpa pabrik (fabless), pengelola pusat data komputasi awan, dan mitra teknologi global, raksasa Korea Selatan ini meresmikan model layanan terpadu (turnkey) yang mengawinkan proses fabrikasi 2-nanometer (nm) Gate-All-Around (GAA) dengan pengemasan canggih.

Strategi utama Samsung bertumpu pada 'One-Stop AI Solution'. Berbeda dari kompetitor yang memisahkan pembuatan wafer silikon dari perakitan dan pengujian pihak ketiga (OSAT), Samsung menguasai rantai pasok secara utuh: proses fabrikasi mutakhir 2nm, memori berkecepatan tinggi High Bandwidth Memory (HBM3E dan HBM4), serta pengemasan heterogen 2.5D dan 3D.

Arsitektur Layanan Satu Atap untuk Akselerator AI Berkinerja Tinggi

Manajemen Samsung mendemonstrasikan bahwa penanganan terpadu antara fabrikasi, penyediaan memori, dan pengemasan berhasil memangkas siklus produksi cip AI generatif hingga sekitar 20%. Solusi ini mengeliminasi kendala logistik lintas negara serta mendongkrak efisiensi hasil produksi (yield).

Dari sisi fabrikasi silikon, Samsung mengonfirmasi bahwa teknologi proses 2nm (SF2) siap memasuki produksi massal komersial pada tahun 2026. Dibandingkan generasi 3nm GAA, cip 2nm SF2 memberikan kenaikan performa sebesar 12%, peningkatan efisiensi daya hingga 25%, dan penghematan luas area cip 5% berkat penerapan jaringan daya sisi belakang (BSPDN).

“Dengan memadukan fabrikasi mutakhir 2nm GAA, memori HBM terdepan, dan kemasan 3D inovatif dalam satu atap, Samsung memberi mitra pengembang AI keunggulan kecepatan pasar yang tak tertandingi.”

Inovasi SAINT dan I-Cube Dorong Era Integrasi Heterogen

Untuk menghubungkan prosesor AI dengan tumpukan memori masif, Samsung mengedepankan platform kemasan SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology). Teknologi SAINT-D mampu menumpuk memori HBM langsung di atas cip logika tanpa mikro-tonjolan (micro-bumps), sementara interposer 2.5D I-CubeE mampu menampung hingga 12 tumpukan HBM4.

Langkah agresif ini menjadi upaya Samsung untuk merebut pangsa pasar dari TSMC di segmen cip pusat data dan akselerator kecerdasan buatan bernilai tinggi. Ditopang ekspansi pabrik di Pyeongtaek serta fasilitas baru di Taylor, Texas, Samsung memantapkan diri sebagai motor manufaktur utama ledakan AI dunia.

Sources

Samsung Electronics Foundry Semikonduktor 2nm Pengemasan Canggih GAA Kecerdasan Buatan