Produsen memori terkemuka asal Korea Selatan, SK Hynix, bersama pemimpin industri pengecoran semikonduktor dunia, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), mengumumkan pendalaman aliansi teknik strategis mereka untuk mengembangkan memori High Bandwidth Memory generasi keenam, yang dikenal sebagai HBM4. Kerja sama ini menandai era baru dalam desain subsistem memori komputasi kecerdasan buatan.

Dalam kerangka kerja sama yang diperluas, SK Hynix akan mengadopsi proses fabrikasi logika mutakhir sub-3 nanometer milik TSMC langsung pada base die atau buffer die yang menopang tumpukan DRAM. Langkah ini menggantikan proses memori konvensional, memungkinkan penyematan sirkuit pengendali khusus serta efisiensi konsumsi daya yang jauh lebih tinggi.

Base Die Sub-3nm Merevolusi Integrasi Logika Memori

Evolusi arsitektur tersebut dirancang untuk mengatasi hambatan interkoneksi data pada akselerator AI generasi mendatang. Mengingat pesatnya perkembangan model AI berukuran triliunan parameter, HBM4 melipatgandakan lebar bus antarmuka dari 1.024 bit menjadi 2.048 bit per modul, dengan presisi termal mikrometer yang sangat ketat.

TSMC juga akan mengoptimalkan platform pengemasan terdepan Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) miliknya guna menghubungkan modul HBM4 secara mulus dengan prosesor grafis utama dari vendor global seperti Nvidia dan AMD.

“Our collaboration with TSMC on HBM4 base dies ensures seamless performance integration, accelerating the development of customized AI memory for hyperscale customers.” — Justin Kim, Presiden dan Kepala Infrastruktur AI di SK Hynix

Sinergi Kemasan CoWoS untuk Beban Kerja AI Skala Besar

Kolaborasi erat ini membangun benteng pertahanan bisnis yang kokoh terhadap para pesaing terintegrasi seperti Samsung Electronics dan Micron Technology. Kombinasi dominasi pasokan HBM3E dari SK Hynix dan keunggulan manufaktur TSMC memberi keunggulan mutlak di segmen pusat data global.

Sampel kualifikasi dijadwalkan mulai dikirimkan kepada mitra teknologi pada akhir 2025, sebelum memasuki tahap produksi massal komersial pada paruh kedua tahun 2026.

Frequently Asked Questions

Apa terobosan utama dari kolaborasi SK Hynix dan TSMC pada memori HBM4?

Penerapan proses logika sub-3 nm TSMC pada base die serta penggandaan bus antarmuka menjadi 2.048 bit dengan kemasan CoWoS.

Kapan memori HBM4 akan diproduksi secara massal?

Sampel awal akan dikirimkan akhir 2025 dan produksi massal komersial dijadwalkan pada paruh kedua tahun 2026.

Sources

SK Hynix TSMC HBM4 Semikonduktor Kecerdasan Buatan Kemasan Canggih Perangkat Keras AI