Samsung Electronics a levé le voile le 22 septembre 2026 sur sa feuille de route technologique lors du Samsung Foundry Forum réuni à Séoul. Devant des centaines de concepteurs de puces sans usine (fabless) et d'acteurs majeurs du cloud mondial, le champion sud-coréen a présenté un modèle clé en main intégrant la gravure en 2 nanomètres (nm) Gate-All-Around (GAA) et ses architectures exclusives d'emballage avancé.
Le cœur de cette offensive réside dans l'offre 'One-Stop AI Solution'. Contrairement aux modèles segmentés où la fabrication de plaquettes et l'assemblage (OSAT) sont sous-traités à des acteurs distincts, Samsung maîtrise l'ensemble de la chaîne : la gravure nanométrique, la mémoire à large bande passante (HBM3E et HBM4) et l'emballage 2.5D/3D.
Une architecture clé en main pour accélérer le déploiement des puces d'IA
Les dirigeants du groupe ont prouvé que la synchronisation de la fonderie, de l'approvisionnement en HBM et du conditionnement sous une autorité unique écourte le cycle de commercialisation des accélérateurs d'IA d'environ 20%, tout en évitant les surcoûts logistiques et en améliorant les rendements finaux.
Sur le front de la fonderie, Samsung a réaffirmé que son procédé 2nm (SF2) débutera sa production commerciale de masse dès 2026. Par rapport à la génération 3nm GAA, le nœud SF2 offre un gain de performance de 12%, une efficacité énergétique accrue de 25% et une empreinte surfacique réduite de 5%, intégrant la distribution d'énergie par la face arrière (BSPDN).
“En fédérant sous un même toit notre fonderie 2nm GAA, nos mémoires HBM et nos technologies d'emballage 3D, Samsung offre aux concepteurs d'IA un avantage de rapidité d'exécution sans égal.”
Les technologies SAINT et I-Cube au cœur de l'intégration hétérogène
Pour interconnecter les volumineux circuits d'IA aux banques de mémoire, Samsung a mis en avant sa plateforme SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology). Le groupe a démontré les capacités de SAINT-D pour empiler verticalement la mémoire sans micro-bosses, ainsi que l'interposeur I-CubeE pouvant intégrer jusqu'à 12 blocs HBM4 côte à côte.
Cette démonstration industrielle illustre la volonté de Samsung de défier le quasi-monopole de TSMC sur les puces d'accélération de calcul. Grâce aux capacités de son méga-complexe de Pyeongtaek et à sa nouvelle usine de Taylor au Texas, Samsung s'impose comme un acteur incontournable de la révolution de l'intelligence artificielle.
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