أعلنت شركة صناعة أشباه الموصلات الكورية الجنوبية إس كيه هاينكس رسمياً في 23 سبتمبر 2026 عن بدء الإنتاج التجاري الضخم لأول ذاكرة HBM3E في العالم مؤلفة من 12 طبقة بسعة قياسية تبلغ 36 غيغابايت. ويعزز هذا الإنجاز المكانة الريادية للشركة الواقعة في إيتشون بوصفها المورد الرئيسي للرقائق المتقدمة لشركة إنفيديا (Nvidia) لتشغيل وحدات معالجة الرسوميات في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

ويمثل هذا التكديس الجديد المكون من 12 طبقة قفزة بنسبة 50% في كثافة الذاكرة مقارنة بالجيل السابق المكون من 8 طبقات وسعة 24 غيغابايت. وعلى الرغم من دمج أربع طبقات إضافية من رقائق DRAM، نجح مهندسو الشركة في الحفاظ على السماكة الكلية للشريحة عند 720 ميكرومتراً وفق المعيار المعتمد من منظمة JEDEC، بفضل تقليص سمك كل رقاقة فردية بنسبة 40% واستخدام فتحات السيليكون الرأسية (TSV).

تقنية تغليف MR-MUF تمنح سعة أعلى بنسبة 50% بنفس الحجم القياسي

وتم التغلب على التحديات الحرارية الناتجة عن الكثافة العالية باستخدام تقنية التغليف الحصرية Advanced MR-MUF. وتعتمد هذه التقنية على ضخ مادة إيبوكسي سائلة متطورة بين التوصيلات الدقيقة تحت حرارة مضبوطة، مما زاد من كفاءة تشتيت الحرارة بنسبة 10% مقارنة بالتقنيات التقليدية، ومنع انحناء رقائق السيليكون الرقيقة.

وعلى صعيد سرعة المعالجة، تحقق ذاكرة HBM3E معدل نقل يصل إلى 9.6 غيغابت في الثانية لكل دبوس. وعند تجميع ثماني وحدات ذاكرة مع وحدة المعالجة المركزية، يصل النطاق الترددي التراكمي إلى أكثر من 1.22 تيرابايت في الثانية، ما يعادل نقل ومعالجة 240 فيلماً فائق الدقة في ثانية واحدة.

“من خلال النجاح في بدء الإنتاج الضخم لأول ذاكرة HBM3E من 12 طبقة بسعة 36 غيغابايت، برهنت إس كيه هاينكس مجدداً على تفوقها التكنولوجي المطلق في مجال ذاكرة الذكاء الاصطناعي. وسنواصل ضمان إمدادات مستقرة لتلبية الاحتياجات المتصاعدة لمراكز البيانات العملاقة.”

ترسيخ الهيمنة في الدورة الاقتصادية الفائقة لذاكرة الذكاء الاصطناعي

وأكدت الشركة أن تسليم الشحنات الأولى للعملاء الاستراتيجيين وفي مقدمتهم إنفيديا سيبدأ خلال الربع الرابع من عام 2026. وستزود الذاكرة الجديدة منصات معمارية بلاكويل ألترا B200 ومعمارية روبين القادمة، مما يرفع سعة الذاكرة المدمجة في المعالج من 192 غيغابايت إلى 288 غيغابايت.

ويوسع هذا السبق الفجوة التنافسية بين إس كيه هاينكس ومنافستيها سامسونج إلكترونكس وميكرون الأمريكية. ومع توقعات بتجاوز حصة ذواكر HBM نسبة 30% من إجمالي عائدات سوق DRAM بحلول عام 2027، فإن الشركة الكورية تحكم قبضتها على الجانب الأكثر ربحية في ثورة الذكاء الاصطناعي التوليدي.

Sources

إس كيه هاينكس HBM3E أشباه الموصلات عتاد الذكاء الاصطناعي إنفيديا شرائح الذاكرة التغليف المتقدم