A gigante sul-coreana de semicondutores SK Hynix anunciou oficialmente em 23 de setembro de 2026 o início da produção comercial em massa da primeira memória High Bandwidth Memory 3E (HBM3E) de 12 camadas do mundo, com capacidade recorde de 36 gigabytes (GB). O marco reafirma a posição de liderança da empresa sediada em Icheon como fornecedora exclusiva de chips avançados para as unidades de processamento gráfico (GPUs) de inteligência artificial da Nvidia.
A nova pilha de 12 matrizes representa um aumento de 50% na capacidade em comparação com os módulos anteriores de 8 camadas e 24 GB. Mesmo empilhando 12 lâminas de DRAM, os engenheiros da SK Hynix mantiveram a espessura total do encapsulamento em exatamente 720 micrômetros, atendendo às normas técnicas da JEDEC. O feito foi viabilizado pela redução de 40% na espessura de cada lâmina de silício interligada por microvias verticais (TSV).
Encapsulamento MR-MUF amplia capacidade em 50% mantendo dimensões
O desafio da dissipação de calor foi solucionado por meio do processo patenteado Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). A aplicação de um composto de resina epóxi fluida entre as conexões sob temperatura controlada elevou a dissipação térmica em 10% frente à termocompressão convencional, prevenindo deformações estruturais nas lâminas ultrafinas.
No quesito velocidade, o módulo HBM3E de 12 camadas alcança taxas de transferência de até 9,6 gigabits por segundo (Gbps) por pino. Integrado em conjuntos de oito unidades junto aos processadores de IA, o sistema atinge uma largura de banda acumulada de mais de 1,22 terabyte por segundo (TB/s), equivalente ao processamento de 240 filmes em alta definição em apenas um segundo.
“Ao iniciar com sucesso a produção em larga escala da primeira memória HBM3E de 12 camadas e 36 GB, a SK Hynix demonstra mais uma vez sua liderança técnica incontestável. Continuaremos fornecendo soluções de ponta para a demanda explosiva da IA.”
Liderança consolidada no superciclo de semicondutores para inteligência artificial
A empresa confirmou que os primeiros lotes comerciais serão despachados a partir do quarto trimestre de 2026, tendo a Nvidia como cliente prioritária. As novas memórias de 36 GB integrarão os aceleradores das arquiteturas Blackwell Ultra B200 e Rubin, elevando a capacidade de memória dedicada por processador de 192 GB para 288 GB.
Com este avanço, a SK Hynix alarga sua vantagem competitiva frente à concorrente local Samsung Electronics e à norte-americana Micron Technology. Com analistas projetando que as memórias HBM responderão por mais de 30% de toda a receita global de DRAM até 2027, a fabricante sul-coreana se consolida como a maior beneficiária da expansão da infraestrutura de IA no mundo.
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