サムスン電子は2026年9月22日、ソウルで開催された「サムスン・ファウンドリ・フォーラム」において、次世代半導体戦略を大々的に発表しました。世界各国から集まったファブレス企業や大手クラウド事業者に対し、最先端の2ナノメートル（nm）Gate-All-Around（GAA）製造技術と独自の先端パッケージング技術を融合させたターンキーサービスを初公開しました。

サムスンの戦略の中核は「ワンストップAIソリューション」です。前工程（ファウンドリ）と後工程（OSAT）が分離している競合他社とは異なり、サムスンは2nmウェハー微細加工、広帯域メモリ（HBM3EおよびHBM4）、そして2.5Dおよび3Dヘテロジニアス実装の3大要素をすべて自社グループ内で完結できる世界唯一の強みを有しています。

AIアクセラレータの市場投入を加速するワンストップ・ターンキー体制

フォーラムの壇上において同社幹部は、設計から前工程・メモリ調達・最終パッケージングまでを一元管理することにより、生成AI向け特定用途向けIC（ASIC）の製造期間を約20％短縮できることを実証しました。グローバル輸送に伴う遅延を排除し、歩留まり向上を実現します。

微細化プロセスにおいてサムスンは、2nmプロセス「SF2」の商業量産を2026年に計画通り開始することを再確認しました。現行の3nm GAAと比較して性能が12％向上し、消費電力を25％削減、面積を5％縮小できるほか、裏面電源供給（BSPDN）技術を採用しています。

“最先端の2nm GAA、世界最高峰のHBM、そして革新的な3Dパッケージングをワンストップで提供することで、AIイノベーターに圧倒的な製品化スピードを提供します。”

ヘテロジニアス集積をリードするSAINTおよびI-Cubeパッケージング技術

巨大なAIロジックチップと大容量メモリを高速接続するため、サムスンは先端パッケージング技術「SAINT（Samsung Advanced Interconnect Technology）」の最新成果を披露しました。マイクロバンプを排してHBMをロジック上に垂直積層する「SAINT-D」や、最大12個のHBM4を搭載可能なインターポーザ「I-CubeE」が注目を集めました。

この包括的なターンキー戦略は、受託製造で先行する台湾TSMCへの強力な対抗策となります。韓国内の平沢（ピョンテク）キャンパスおよび米国テキサス州テイラー新工場の生産能力をフル活用し、サムスンは世界的なAI特需を支える不可欠なインフラとしての地歩を固めています。

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サムスン電子 ファウンドリ 半導体 2nm 先端パッケージング GAA 人工知能