El fabricante surcoreano SK Hynix y el líder mundial de fundición TSMC han anunciado una profunda ampliación de su colaboración de ingeniería estratégica para desarrollar conjuntamente la memoria de alto ancho de banda de sexta generación, conocida como HBM4. Este acuerdo marca una evolución clave en la arquitectura de hardware para centros de datos de inteligencia artificial.
Bajo este esquema reforzado, SK Hynix integrará los nodos lógicos de sub-3 nanómetros de TSMC en el dado base situado debajo de las pilas DRAM. Tradicionalmente, las generaciones previas utilizaban procesos de memoria convencionales para el dado base; la adopción de la litografía puntera de TSMC permite integrar circuitería lógica personalizada y optimizar el consumo energético.
Dados base de sub-3 nm redefinen la integración lógica de memoria
La transformación arquitectónica responde a la imperiosa necesidad de eliminar los cuellos de botella de ancho de banda en procesadores de entrenamiento para modelos fundacionales. HBM4 duplicará el ancho del bus de interfaz de 1.024 bits a 2.048 bits por módulo, exigiendo tolerancias micrométricas y una gestión térmica sumamente rigurosa.
Por su parte, TSMC ajustará sus líneas de empaquetado avanzado Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) para garantizar una interconexión fluida entre las memorias HBM4 y los aceleradores de compañías como Nvidia y AMD.
“Our collaboration with TSMC on HBM4 base dies ensures seamless performance integration, accelerating the development of customized AI memory for hyperscale customers.” — Justin Kim, Presidente y Director de Infraestructura de IA en SK Hynix
Sinergia en empaquetado CoWoS para cargas de IA a gran escala
Esta alianza fortalece notablemente la ventaja competitiva de ambas firmas frente a rivales integrados como Samsung Electronics y Micron Technology. La combinación de la experiencia de SK Hynix en DRAM y la primacía en fundición de TSMC busca blindar su dominio en la nube hiperescalable.
Las muestras de validación comenzarán a distribuirse a finales de 2025, mientras que la fabricación comercial a gran escala arrancará en el segundo semestre de 2026 para satisfacer el auge imparable de la inteligencia artificial global.
Frequently Asked Questions
¿Cuál es la principal ventaja técnica de la alianza entre SK Hynix y TSMC?
La incorporación de procesos de sub-3 nm en el dado base de HBM4 y la duplicación del bus a 2.048 bits mediante empaquetado CoWoS.
¿Cuándo estará disponible comercialmente la memoria HBM4?
Las muestras llegarán a los fabricantes a finales de 2025 y la producción en masa se iniciará en la segunda mitad de 2026.
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