إس كيه هاينكس وتي إس إم سي تعززان شراكتهما لرقائق ذاكرة HBM4 للذكاء الاصطناعي

أعلنت شركة تصنيع الذاكرة الكورية الجنوبية إس كيه هاينكس والشركة التايوانية الرائدة لتصنيع أشباه الموصلات (تي إس إم سي) عن تعميق تحالفهما الهندسي الاستراتيجي للتطوير المشترك للجيل السادس من ذاكرة النطاق الترددي العالي المعروفة باسم HBM4. وتؤسس هذه الخطوة لنقلة نوعية في تصميم عتاد مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

وبموجب الاتفاقية الموسعة، ستدمج إس كيه هاينكس تقنيات المنطق المتقدمة بدقة تصنيع دون 3 نانومتر من تي إس إم سي مباشرة في القالب الأساسي الموجود أسفل طبقات رقائق DRAM المكدسة. ويمثل هذا تحولاً جذرياً مقارنة بالأجيال السابقة، حيث يتيح إضافة دوائر منطقية مخصصة وتحسين كفاءة استهلاك الطاقة بشكل كبير.

قوالب قاعدة دون 3 نانومتر تعيد صياغة هندسة الذاكرة

وتستهدف هذه الترقية المعمارية إزالة معوقات تدفق البيانات التي تواجه معالجات نماذج الذكاء الاصطناعي التوليدي التريليونية. وتعمل ذاكرة HBM4 على مضاعفة عرض ناقل الواجهة من 1024 بت إلى 2048 بت لكل وحدة مكدسة، مع التزام بأعلى درجات الدقة الحرارية والروابط المجهرية الدقيقة.

من جانبها، ستقوم شركة تي إس إم سي بتهيئة منصات التغليف المتقدمة الخاصة بها والمعروفة باسم (CoWoS) لربط وحدات HBM4 التابعة للشركة الكورية بسلاسة تامة مع معالجات الرسوميات لشركات كبرى مثل إنفيديا وأيه إم دي.

“Our collaboration with TSMC on HBM4 base dies ensures seamless performance integration, accelerating the development of customized AI memory for hyperscale customers.” — جاستن كيم، رئيس قطاع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي في إس كيه هاينكس

تكامل تقنية CoWoS لتشغيل أعباء الذكاء الاصطناعي الضخمة

ويشكل هذا التعاون حاجزاً تنافسياً منيعاً ضد الشركات المنافسة مثل سامسونج للإلكترونيات وميكرون تكنولوجي. إذ يتيح دمج هيمنة إس كيه هاينكس في توريد HBM3E مع ريادة تي إس إم سي في التصنيع والتغليف الاستحواذ على النصيب الأكبر من عقود الخوادم الفائقة حتى عام 2028.

ومن المقرر أن تبدأ الشركتان في شحن العينات التجريبية لشركاء التكنولوجيا بحلول أواخر عام 2025، تمهيداً لبدء عمليات الإنتاج التجاري الموسع خلال النصف الثاني من عام 2026 لتلبية الطلب العالمي المتسارع.

Sources

• SK Hynix Newsroom
• TSMC Press Center